SI8902AEDB-T2-E1
| 工場モデル | SI8902AEDB-T2-E1 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET |
| パッケージ | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| 株式 | 296256 pcs |
| データシート | Material ComplianceSI8902AEDB |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 6000 |
|---|
| $0.116 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。296256のVishay Siliconix SI8902AEDB-T2-E1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 900mV @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 1A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 5.7W |
| パッケージ/ケース | 6-UFBGA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 24V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SI8902 |
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