SI8441DB-T2-E1
工場モデル | SI8441DB-T2-E1 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT |
パッケージ | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
株式 | 5728 pcs |
データシート | Material ComplianceSI8441DB |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 700mV @ 250µA |
Vgs(最大) | ±5V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80mOhm @ 1A, 4.5V |
電力消費(最大) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
パッケージ/ケース | 6-UFBGA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 600 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.2V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10.5A (Tc) |
基本製品番号 | SI8441 |
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