SI8435DB-T1-E1
| 工場モデル | SI8435DB-T1-E1 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT |
| パッケージ | 4-Microfoot |
| 株式 | 6159 pcs |
| データシート | Material ComplianceSI8435DB |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-Microfoot |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 41mOhm @ 1A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA, CSPBGA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1600 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
| 基本製品番号 | SI8435 |
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