SI8405DB-T1-E1
工場モデル | SI8405DB-T1-E1 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT |
パッケージ | 4-Microfoot |
株式 | 6265 pcs |
データシート | PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013Material ComplianceSI8405DB |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6265のVishay Siliconix SI8405DB-T1-E1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 950mV @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-Microfoot |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 55mOhm @ 1A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.47W (Ta) |
パッケージ/ケース | 4-XFBGA, CSPBGA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.6A (Ta) |
基本製品番号 | SI8405 |
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