SI7810DN-T1-E3
工場モデル | SI7810DN-T1-E3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8 |
パッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
株式 | 132833 pcs |
データシート | SI7810DNNew Solder Plating Site 18/Apr/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.587 | $0.524 | $0.409 | $0.338 | $0.267 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 62mOhm @ 5.4A, 10V |
電力消費(最大) | 1.5W (Ta) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.4A (Ta) |
基本製品番号 | SI7810 |
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