SI7100DN-T1-E3
| 工場モデル | SI7100DN-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 8V 35A PPAK1212-8 |
| パッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| 株式 | 6733 pcs |
| データシート | SIL-0392016 16/Dec/2016Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014SI7100DN |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5mOhm @ 15A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3810 pF @ 4 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 105 nC @ 8 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) |
| 基本製品番号 | SI7100 |
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