Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > SI4967DY-T1-E3
SI4967DY-T1-E3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SI4967DY-T1-E3

工場モデル SI4967DY-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 4596 pcs
データシート SIL-0632014 16/Apr/2014SI4967DY
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4596のVishay Siliconix SI4967DY-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 450mV @ 250µA (Min)
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 23mOhm @ 7.5A, 4.5V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 55nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） -
コンフィギュレーション 2 P-Channel (Dual)
基本製品番号 SI4967

おすすめ商品

SI4967DY-T1-E3 データテーブルPDF

データシート

SI4967DY-T1-E3に関連した語彙

SI4967DY-T1-E3関連コンポーネント