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SI4900DY-T1-E3 Image
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SI4900DY-T1-E3

工場モデル SI4900DY-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 191027 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023SI4900DY
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.447 $0.399 $0.311 $0.257 $0.203
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。191027のVishay Siliconix SI4900DY-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 58mOhm @ 4.3A, 10V
電力 - 最大 3.1W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 665pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 20nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.3A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 SI4900

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データシート

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