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SI4866BDY-T1-GE3

工場モデル SI4866BDY-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO
パッケージ 8-SOIC
株式 5681 pcs
データシート Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SI4866BDY
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5681のVishay Siliconix SI4866BDY-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.3mOhm @ 12A, 4.5V
電力消費（最大） 2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5020 pF @ 6 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 80 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 12 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 21.5A (Tc)
基本製品番号 SI4866

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データシート

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