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SI4776DY-T1-GE3 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

SI4776DY-T1-GE3

工場モデル SI4776DY-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
パッケージ 8-SOIC
株式 4301 pcs
データシート Multiple Devices 14/Mar/2018Si4776DY
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4301のVishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.3V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ SkyFET®, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 16mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大） 4.1W (Tc)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TA)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 521 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 17.5 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11.9A (Tc)
基本製品番号 SI4776

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