SI4636DY-T1-E3
工場モデル | SI4636DY-T1-E3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 17A 8SO |
パッケージ | 8-SOIC |
株式 | 6009 pcs |
データシート | PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013SI4636DY |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8.5mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 4.4W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2635 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 60 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 17A (Tc) |
基本製品番号 | SI4636 |
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