SI4622DY-T1-E3
| 工場モデル | SI4622DY-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
| パッケージ | 8-SOIC |
| 株式 | 4423 pcs |
| データシート | SIL-0392016 16/Dec/2016SI4622DY |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | SkyFET®, TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16mOhm @ 9.6A, 10V |
| 電力 - 最大 | 3.3W, 3.1W |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2458pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SI4622 |
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