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SI4459BDY-T1-GE3 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

SI4459BDY-T1-GE3

工場モデル SI4459BDY-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 208618 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SI4459BDY
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.414 $0.37 $0.288 $0.238 $0.188
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。208618のVishay Siliconix SI4459BDY-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.2V @ 250µA
Vgs（最大） +20V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.9mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3490 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 84 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
基本製品番号 SI4459

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データシート

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