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SI4062DY-T1-GE3

工場モデル SI4062DY-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
パッケージ 8-SOIC
株式 148603 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SI4062DY
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.663 $0.592 $0.461 $0.381 $0.301
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。148603のVishay Siliconix SI4062DY-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.6V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.2mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 7.8W (Tc)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3175 pF @ 30 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 60 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 32.1A (Tc)
基本製品番号 SI4062

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SI4062DY-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート