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SI4010DY-T1-GE3

工場モデル SI4010DY-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
パッケージ 8-SOIC
株式 5387 pcs
データシート Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018Mult Devs Assembly Location 31/Jan/2023SI4010DY
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5387のVishay Siliconix SI4010DY-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.3V @ 250µA
Vgs（最大） +20V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.4mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 6W (Tc)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TA)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3595 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 77 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 31.3A (Tc)
基本製品番号 SI4010

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データシート

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