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SI3127DV-T1-GE3 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

SI3127DV-T1-GE3

工場モデル SI3127DV-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
パッケージ 6-TSOP
株式 638850 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023SI3127DV
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.172 $0.147 $0.11 $0.086 $0.067
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。638850のVishay Siliconix SI3127DV-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 89mOhm @ 1.5A, 4.5V
電力消費（最大） 2W (Ta), 4.2W (Tc)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 833 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 30 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.5A (Ta), 13A (Tc)
基本製品番号 SI3127

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データシート

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