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Vishay Siliconix

SI2312CDS-T1-BE3

工場モデル SI2312CDS-T1-BE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 681469 pcs
データシート SI2312CDSMult Devs Manufacturing Capacity Expansion 13/Mar/
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.157 $0.129 $0.088 $0.066 $0.049
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。681469のVishay Siliconix SI2312CDS-T1-BE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
電力消費（最大） 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 865 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 18 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5A (Ta), 6A (Tc)

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データシート

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