Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SI2302CDS-T1-GE3
SI2302CDS-T1-GE3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SI2302CDS-T1-GE3

工場モデル SI2302CDS-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 537502 pcs
データシート Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023SI2302CDS
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.196 $0.168 $0.125 $0.098 $0.076
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。537502のVishay Siliconix SI2302CDS-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 850mV @ 250µA
Vgs(最大) ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
電力消費(最大) 710mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.6A (Ta)
基本製品番号 SI2302

おすすめ商品

SI2302CDS-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート