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Vishay Siliconix

SI1480BDH-T1-GE3

工場モデル SI1480BDH-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
パッケージ SC-70-6
株式 638411 pcs
データシート SI1480BDH
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.173 $0.148 $0.11 $0.087 $0.067
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。638411のVishay Siliconix SI1480BDH-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-6
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 212mOhm @ 2A, 10V
電力消費（最大） 1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 206 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 6 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
基本製品番号 SI1480

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データシート

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