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SI1011X-T1-GE3 Image
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SI1011X-T1-GE3

工場モデル SI1011X-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 12V SC89-3
パッケージ SC-89-3
株式 5125 pcs
データシート Material ComplianceMultiple Devices 14/Mar/2018SI1011X
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5125のVishay Siliconix SI1011X-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 800mV @ 250µA
Vgs（最大） ±5V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-89-3
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 640mOhm @ 400mA, 4.5V
電力消費（最大） 190mW (Ta)
パッケージ/ケース SC-89, SOT-490
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 62 pF @ 6 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 4 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.2V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 12 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 480mA (Ta)
基本製品番号 SI1011

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データシート

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