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Vishay Siliconix

IRFB11N50APBF-BE3

工場モデル IRFB11N50APBF-BE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 100900 pcs
データシート Power MOSFET
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$0.947 $0.853 $0.685 $0.563 $0.467 $0.434 $0.418
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。100900のVishay Siliconix IRFB11N50APBF-BE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 520mOhm @ 6.6A, 10V
電力消費（最大） 170W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1423 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 52 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Tc)
基本製品番号 IRFB11

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