IRF9Z24PBF
工場モデル | IRF9Z24PBF |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB |
パッケージ | TO-220AB |
株式 | 130337 pcs |
データシート | Packaging InformationIRF9Z24, SiHF9Z24Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.79 | $0.709 | $0.57 | $0.468 | $0.388 | $0.361 | $0.348 | $0.339 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 280mOhm @ 6.6A, 10V |
電力消費(最大) | 60W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 570 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11A (Tc) |
基本製品番号 | IRF9Z24 |
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