BYG10MHE3/TR3
工場モデル | BYG10MHE3/TR3 |
---|---|
メーカー | Vishay Semiconductor Diodes Division |
詳細な説明 | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A |
パッケージ | |
株式 | 779090 pcs |
データシート | Packaging InformationBYG10D,G,J,K,M,Y |
提案された価格 (米ドルでの測定)
7500 |
---|
$0.051 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Semiconductor Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。779090のVishay Semiconductor Diodes Division BYG10MHE3/TR3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - ピーク逆(最大) | Avalanche |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.5A |
電圧 - ブレークダウン | DO-214AC (SMA) |
シリーズ | - |
RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
逆回復時間(trrの) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
もし、F @抵抗 | - |
偏光 | DO-214AC, SMA |
動作温度 - ジャンクション | 4µs |
装着タイプ | Surface Mount |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks |
製造元の部品番号 | BYG10MHE3/TR3 |
拡張された説明 | Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
ダイオード構成 | 1µA @ 1000V |
説明 | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.15V @ 1.5A |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 1000V (1kV) |
Vrと、F @キャパシタンス | -55°C ~ 150°C |
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