Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-igbt-モジュール > VS-GT50TP60N
Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-GT50TP60N

工場モデル VS-GT50TP60N
メーカー Vishay General Semiconductor - Diodes Division
詳細な説明 IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK
パッケージ INT-A-PAK
株式 6614 pcs
データシート PowerModules_2DBarcode Mar/2015Plating Material Chg 03/Feb/2016Mult Dev OBS 19/Jun/2019VS-GT50TP60N
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6614のVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50TP60Nの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 600 V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 2.1V @ 15V, 50A
サプライヤデバイスパッケージ INT-A-PAK
シリーズ -
電力 - 最大 208 W
パッケージ/ケース INT-A-PAK (3 + 4)
パッケージ Bulk
運転温度 175°C (TJ)
NTCサーミスタ No
製品属性 属性値
装着タイプ Chassis Mount
入力容量(量Cies)@ Vceは 3.03 nF @ 30 V
入力 Standard
IGBTタイプ Trench
電流 - コレクタ遮断(最大) 1 mA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 85 A
コンフィギュレーション Half Bridge
基本製品番号 GT50

おすすめ商品

VS-GT50TP60N データテーブルPDF

データシート