VS-FB190SA10
| 工場モデル | VS-FB190SA10 |
|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 |
| パッケージ | SOT-227 |
| 株式 | 5286 pcs |
| データシート | Ink to Laser 03/Feb/2016VS-FB190SA10Mult Dev OBS 19/Jun/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5286のVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FB190SA10の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.35V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.5mOhm @ 180A, 10V |
| 電力消費（最大） | 568W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10700 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 190A (Tj) |
| 基本製品番号 | FB190 |
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