VS-3C04ET07T-M3
| 工場モデル | VS-3C04ET07T-M3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 詳細な説明 | 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN |
| パッケージ | TO-220AC |
| 株式 | 93150 pcs |
| データシート | VS-3C04ET07T-M3 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.964 | $0.865 | $0.696 | $0.571 | $0.508 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。93150のVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3C04ET07T-M3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.5 V @ 4 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AC |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-2 |
| パッケージ | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 25 µA @ 650 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 4A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 175pF @ 1V, 1MHz |
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