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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-20ETF10-M3

工場モデル VS-20ETF10-M3
メーカー Vishay General Semiconductor - Diodes Division
詳細な説明 DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC
パッケージ TO-220AC
株式 65624 pcs
データシート DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015Mult Devices Assembly 19/Jan/2018VS-20ETF0(8,10,12)S-M3VS-20ETF...-M3 Series
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$1.2 $1.077 $0.882 $0.751 $0.653
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。65624のVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF10-M3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.3 V @ 20 A
電圧 - 逆(VR)(最大) 1000 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AC
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 95 ns
パッケージ/ケース TO-220-2
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 150°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100 µA @ 1000 V
電流 - 平均整流(イオ​​) 20A
Vrと、F @キャパシタンス -
基本製品番号 20ETF10

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VS-20ETF10-M3 データテーブルPDF

データシート