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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-10ETF10-M3

工場モデル VS-10ETF10-M3
メーカー Vishay General Semiconductor - Diodes Division
詳細な説明 DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC
パッケージ TO-220AC
株式 95931 pcs
データシート DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015Mult Devices Assembly 19/Jan/2018VS-10ETF10-M3, 12S-M3
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.854 $0.768 $0.617 $0.507 $0.42 $0.418
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。95931のVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF10-M3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.33 V @ 10 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 1000 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AC
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 310 ns
パッケージ/ケース TO-220-2
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 150°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100 µA @ 1000 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 10A
Vrと、F @キャパシタンス -
基本製品番号 10ETF10

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