VMMBZ16C1DD1HG3-08
| 工場モデル | VMMBZ16C1DD1HG3-08 |
|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 詳細な説明 | 14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17P |
| パッケージ | DFN1006-2B |
| 株式 | 1421039 pcs |
| データシート | VMMBZ16C1DD1 to VMMBZ33C1DD1 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.134 | $0.103 | $0.064 | $0.044 | $0.034 | $0.03 | $0.029 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1421039のVishay General Semiconductor - Diodes Division VMMBZ16C1DD1HG3-08の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - 逆スタンドオフ（標準） | 14V (Max) |
| 電圧 - クランプ（最大）@IP | 27V |
| 電圧 - ブレークダウン（最小） | 16.2V |
| タイプ | Zener |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN1006-2B |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 電力線保護 | No |
| パワー - ピークパルス | 15W |
| パッケージ/ケース | 0402 (1006 Metric) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - ピークパルス（10 /1000μs） | 650mA |
| 静電容量@周波数 | 14.5pF @ 1MHz |
| 双方向チャネル | 1 |
| 基本製品番号 | VMMBZ16C |
| アプリケーション | Automotive |
おすすめ商品
-
VMM40-24F
ROTARY ACTUATOR 40NM 24V 1.2MINHoneywell -
VMM40-24F/U
ROTARY ACTUATOR FOR DR/ZR VALVESHoneywell -
VMM30-24
ROTARY ACTUATOR 30NM 2,3MIN24VHoneywell -
VMMBZ16C1HD1HG3-08
14V;IR=0.1A;IP=4A;P=108W;CD=17PFVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMBZ33C1HD1-G3-08
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMM90-09F
MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LIIXYS -
VMM650-01F
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LIIXYS -
VMM300-03F
MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCBIXYS -
VMM85-02F
MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4IXYS -
VMMBZ33C1DD1-G3-08
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMM45-02F
MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AAIXYS -
VMMBZ33C1HD1HG3-08
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMBZ16C1DD1-G3-08
14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17PVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMK-1225-BLKG
FET RF 5V 12GHZ 0402Broadcom Limited -
VMM90-09P
MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LIIXYS -
VMMK-1225-TR1G
FET RF 5V 12GHZ 0402Broadcom Limited -
VMMK-1218-TR1G
FET RF 5V 10GHZ 0402Broadcom Limited -
VMMBZ16C1HD1-G3-08
14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17PVishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMBZ33C1DD1HG3-08
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
VMMK-1218-BLKG
FET RF 5V 10GHZ 0402Broadcom Limited