S1JHE3_A/I
工場モデル | S1JHE3_A/I |
---|---|
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
パッケージ | DO-214AC (SMA) |
株式 | 1478397 pcs |
データシート | Assembly Site 26/Aug/2021Packaging InformationS1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1MPCN-DD-025-2012-Rev-0 28/Nov/2012 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.157 | $0.117 | $0.066 | $0.044 | $0.034 | $0.029 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1478397のVishay General Semiconductor - Diodes Division S1JHE3_A/Iの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 1 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
逆回復時間(trrの) | 1.8 µs |
パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A |
Vrと、F @キャパシタンス | 12pF @ 4V, 1MHz |
基本製品番号 | S1J |
おすすめ商品
-
S1JFSHMXG
DIODE, 1A, 600V, AEC-Q101, SOD-1TSC (Taiwan Semiconductor) -
S1JFSH
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD128Taiwan Semiconductor Corporation -
S1JHE3_A/H
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
S1JL MQG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
S1JFSHMWG
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD128Taiwan Semiconductor Corporation -
S1JHE3/61T
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
S1JL MTG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
S1JL M2G
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMATSC (Taiwan Semiconductor) -
S1JL MHG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
S1JF_R1_00001
DIODE GEN PURP 600V 1A SMBFPanjit International Inc. -
S1JHR3G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
S1JFS MXG
DIODE, 1A, 600V, SOD-128TSC (Taiwan Semiconductor) -
S1JHE3/5AT
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
S1JL
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
S1JHM2G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACTSC (Taiwan Semiconductor) -
S1JH
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
S1JHM3/61T
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
S1JL R3G
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMATSC (Taiwan Semiconductor) -
S1JHE
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD323HEonsemi -
S1JHM3_A/H
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division