S1BHE3_A/I
工場モデル | S1BHE3_A/I |
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メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
パッケージ | DO-214AC (SMA) |
株式 | 1699234 pcs |
データシート | Assembly Site 26/Aug/2021Packaging InformationS1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1MPCN-DD-025-2012-Rev-0 28/Nov/2012 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
15000 |
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$0.025 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 1 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 100 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
逆回復時間(trrの) | 1.8 µs |
パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 100 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A |
Vrと、F @キャパシタンス | 12pF @ 4V, 1MHz |
基本製品番号 | S1B |
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