GL41YHE3_A/I
工場モデル | GL41YHE3_A/I |
---|---|
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB |
パッケージ | DO-213AB |
株式 | 281557 pcs |
データシート | Packaging InformationBYM10-xxx, GL41xMult Dev Site Chgs 14/Sep/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 |
---|---|
$0.176 | $0.143 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。281557のVishay General Semiconductor - Diodes Division GL41YHE3_A/Iの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.2 V @ 1 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1600 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-213AB |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | SUPERECTIFIER® |
パッケージ/ケース | DO-213AB, MELF (Glass) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A |
Vrと、F @キャパシタンス | 8pF @ 4V, 1MHz |
基本製品番号 | GL41 |
おすすめ商品
-
GL4470002
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1KDiodes Incorporated -
GL4800
EMITTER IR 950NM 50MA RADIALSharp Microelectronics -
GL41Y/1
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
GL4502D
DOT COVERED PALM, SMALLTransforming Technologies -
GL41YHE3/97
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213ABElectro-Films (EFI) / Vishay -
GL41YHE3/96
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
GL4501D
DOT COVERED PALM, X-SMALLTransforming Technologies -
GL41YHE3_A/H
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
GL4505D
DOT COVERED PALM, X-LARGETransforming Technologies -
GL41THE3/96
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
GL41Y-E3/96
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
GL4504D
DOT COVERED PALM, LARGETransforming Technologies -
GL453E00000F
EMITTER IR 950NM 50MA RADIALSharp Microelectronics -
GL4506D
DOT COVERED PALM, 2X-LARGETransforming Technologies -
GL41THE3/97
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
GL41T-E3/97
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
GL480
EMITTER IR 950NM 50MA RADIALSharp Microelectronics -
GL4503D
DOT COVERED PALM, MEDIUMTransforming Technologies -
GL41Y-E3/97
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division -
GL41T-E3/96
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213ABVishay General Semiconductor - Diodes Division