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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

GB35XF120K

工場モデル GB35XF120K
メーカー Vishay General Semiconductor - Diodes Division
詳細な説明 IGBT MODULE 1200V 50A 284W
パッケージ ECONO2
株式 4321 pcs
データシート GB35XF120K
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4321のVishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120Kの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 1200 V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 3V @ 15V, 50A
サプライヤデバイスパッケージ -
シリーズ -
電力 - 最大 284 W
パッケージ/ケース ECONO2
運転温度 150°C (TJ)
NTCサーミスタ No
製品属性 属性値
装着タイプ Chassis Mount
入力容量(量Cies)@ Vceは 3.475 nF @ 30 V
入力 Standard
IGBTタイプ NPT
電流 - コレクタ遮断(最大) 100 µA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 50 A
コンフィギュレーション Three Phase Inverter
基本製品番号 GB35

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GB35XF120K データテーブルPDF

データシート