1N5617GP-E3/54
工場モデル | 1N5617GP-E3/54 |
---|---|
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC |
パッケージ | DO-204AC (DO-15) |
株式 | 409340 pcs |
データシート | Additional Manufacturing Site 22/Feb/20231N561xGP, 1N562xGP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.233 | $0.201 | $0.15 | $0.118 | $0.091 | $0.083 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay General Semiconductor - Diodes Divisionシリーズの電子コンポーネントを専門としています。409340のVishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5617GP-E3/54の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.2 V @ 1 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 400 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-204AC (DO-15) |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | SUPERECTIFIER® |
逆回復時間(trrの) | 150 ns |
パッケージ/ケース | DO-204AC, DO-15, Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500 nA @ 400 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A |
Vrと、F @キャパシタンス | 25pF @ 4V, 1MHz |
基本製品番号 | 1N5617 |
おすすめ商品
-
1N5618/TR
DIODE GEN PURP 600V 1AMicrochip Technology -
1N5617
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIALMicrochip Technology -
1N5617C.TR
DIODE GEN PURP 400V 2A AXIALSemtech Corporation -
1N5618C.TR
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL TRSemtech Corporation -
1N5616US
DIODE GEN PURP 400V 1A D-5AMicrochip Technology -
1N5618
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIALMicrochip Technology -
1N5618US
DIODE GEN PURP 600V 1A D-5AMicrochip Technology -
1N5616
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIALMicrochip Technology -
1N5617GP-E3/73
DIODE GEN PURP 400V 1A DO204ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5617/TR
DIODE GEN PURP 400V 1AMicrochip Technology -
1N5617E3/TR
DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIALMicrochip Technology -
1N5616/TR
DIODE GEN PURP 400V 1AMicrochip Technology -
1N5618GPHE3/54
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5616US/TR
DIODE GEN PURP 400V 1A D-5AMicrochip Technology -
1N5617E3
DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIALMicrochip Technology -
1N5618GP-E3/54
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5616C.TR
DIODE AVALANCHE 400V 2A AXIALSemtech Corporation -
1N5617US
DIODE GEN PURP 400V 1A D-5AMicrochip Technology -
1N5617GPHE3/54
DIODE GEN PURP 400V 1A DO204ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5617US/TR
DIODE GEN PURP 400V 1A D-5AMicrochip Technology