TPD3215M
工場モデル | TPD3215M |
---|---|
メーカー | Transphorm |
詳細な説明 | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
パッケージ | Module |
株式 | 6144 pcs |
データシート | Mult Devices EOL 02/Apr/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTransphormシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6144のTransphorm TPD3215Mの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | Module |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 34mOhm @ 30A, 8V |
電力 - 最大 | 470W |
パッケージ/ケース | Module |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2260pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 28nC @ 8V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 70A (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | TPD3215 |
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