XPQ1R004PB,LXHQ
| 工場モデル | XPQ1R004PB,LXHQ |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | 40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM |
| パッケージ | L-TOGL™ |
| 株式 | 46747 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $1.193 | $1.073 | $0.862 | $0.708 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 500µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | L-TOGL™ |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, U-MOSIX-H |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerBSFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 175°C |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6890 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Ta) |
| 基本製品番号 | XPQ1R004 |
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