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Toshiba Semiconductor and Storage

XPN9R614MC,L1XHQ

工場モデル XPN9R614MC,L1XHQ
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
パッケージ 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
株式 166581 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$0.566 $0.506 $0.394 $0.326 $0.257 $0.24
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。166581のToshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC,L1XHQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.1V @ 500µA
Vgs(最大) +10V, -20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
シリーズ Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 9.6mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 840mW (Ta), 100W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 175°C
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3000 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 64 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40A (Ta)
基本製品番号 XPN9R614

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