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Toshiba Semiconductor and Storage

TW083N65C,S1F

工場モデル TW083N65C,S1F
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
パッケージ TO-247
株式 13535 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$4.807 $4.417 $3.73 $3.319 $3.044
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。13535のToshiba Semiconductor and Storage TW083N65C,S1Fの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 600µA
Vgs（最大） +25V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 113mOhm @ 15A, 18V
電力消費（最大） 111W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 175°C
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 873 pF @ 400 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 28 nC @ 18 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 30A (Tc)

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