Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > ダイオード-整流器-シングル > TRS4E65F,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS4E65F,S1Q

工場モデル TRS4E65F,S1Q
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L
パッケージ TO-220-2L
株式 107570 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.899 $0.807 $0.649 $0.533 $0.444
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。107570のToshiba Semiconductor and Storage TRS4E65F,S1Qの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.6 V @ 4 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-2L
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-220-2
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション 175°C (Max)
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 20 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 4A
Vrと、F @キャパシタンス 16pF @ 650V, 1MHz
基本製品番号 TRS4E65

おすすめ商品

TRS4E65F,S1Q データテーブルPDF

TRS4E65F,S1Qに関連した語彙

TRS4E65F,S1Q関連コンポーネント