TPW2900ENH,L1Q
| 工場モデル | TPW2900ENH,L1Q |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO |
| パッケージ | 8-DSOP Advance |
| 株式 | 87097 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.165 | $1.048 | $0.842 | $0.692 | $0.573 | $0.534 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。87097のToshiba Semiconductor and Storage TPW2900ENH,L1Qの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DSOP Advance |
| シリーズ | U-MOSVIII-H |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 29mOhm @ 16.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 150°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) |
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