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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1R603PL,L1Q

工場モデル TPN1R603PL,L1Q
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
パッケージ 8-TSON Advance (3.1x3.1)
株式 265639 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$0.343 $0.306 $0.238 $0.197 $0.155 $0.145
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。265639のToshiba Semiconductor and Storage TPN1R603PL,L1Qの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.1V @ 300µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSON Advance (3.1x3.1)
シリーズ U-MOSIX-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.6mOhm @ 40A, 10V
電力消費(最大) 104W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 175°C
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3900 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 41 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)
基本製品番号 TPN1R603

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