Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TPCC8103(TE12L,QM)
TPCC8103(TE12L,QM) Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

TPCC8103(TE12L,QM)

工場モデル TPCC8103(TE12L,QM)
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
パッケージ 8-TSON Advance (3.3x3.3)
株式 6126 pcs
データシート Mosfets Prod GuideTPCC8103
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6126のToshiba Semiconductor and Storage TPCC8103(TE12L,QM)の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 1mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ U-MOSV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 12 mOhm @ 9A, 10V
電力消費(最大) 700mW (Ta), 27W (Tc)
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
他の名前 TPCC8103(TE12LQM)DKR
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1600pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 38nC @ 10V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
詳細な説明 P-Channel 30V 18A (Ta) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A (Ta)

おすすめ商品

TPCC8103(TE12L,QM) データテーブルPDF

データシート