TPC6008-H(TE85L,FM
| 工場モデル | TPC6008-H(TE85L,FM |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 5.9A VS-6 |
| パッケージ | VS-6 (2.9x2.8) |
| 株式 | 3905 pcs |
| データシート | Mosfets Prod GuideDK OBS NOTICE |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | VS-6 (2.9x2.8) |
| シリーズ | U-MOSVI-H |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 3A, 10V |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.9A (Ta) |
| 基本製品番号 | TPC6008 |
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