TK9A90E,S4X
| 工場モデル | TK9A90E,S4X |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS |
| パッケージ | TO-220SIS |
| 株式 | 113561 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.848 | $0.763 | $0.613 | $0.504 | $0.418 | $0.389 | $0.374 | $0.365 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 900µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220SIS |
| シリーズ | π-MOSVIII |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta) |
| 基本製品番号 | TK9A90 |
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