TK8Q60W,S1VQ
| 工場モデル | TK8Q60W,S1VQ |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 8A IPAK |
| パッケージ | I-PAK |
| 株式 | 89948 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.944 | $0.848 | $0.682 | $0.56 | $0.464 | $0.432 | $0.416 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。89948のToshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W,S1VQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 400µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak |
| シリーズ | DTMOSIV |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 500mOhm @ 4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 570 pF @ 300 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) |
| 基本製品番号 | TK8Q60 |
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