TK210V65Z,LQ
工場モデル | TK210V65Z,LQ |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN |
パッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
株式 | 50896 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.315 | $1.183 | $0.969 | $0.825 | $0.696 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 610µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
シリーズ | DTMOSVI |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 210mOhm @ 7.5A, 10V |
電力消費(最大) | 130W (Tc) |
パッケージ/ケース | 4-VSFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1370 pF @ 300 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15A (Ta) |
基本製品番号 | TK210V65 |
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