TK155E65Z,S1X
工場モデル | TK155E65Z,S1X |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | 650V DTMOS VI TO-220 155MOHM |
パッケージ | TO-220 |
株式 | 74634 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
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$1.273 | $1.142 | $0.936 | $0.796 | $0.672 | $0.638 | $0.614 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 730µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 155mOhm @ 9A, 10V |
電力消費(最大) | 150W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 150°C |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1635 pF @ 300 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 29 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Ta) |
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