TK12V60W,LVQ
| 工場モデル | TK12V60W,LVQ |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN |
| パッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
| 株式 | 79637 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 2500 | 5000 |
|---|---|
| $0.455 | $0.438 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。79637のToshiba Semiconductor and Storage TK12V60W,LVQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 600µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
| シリーズ | DTMOSIV |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 5.8A, 10V |
| 電力消費（最大） | 104W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 4-VSFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 890 pF @ 300 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.5A (Ta) |
| 基本製品番号 | TK12V60 |
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