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TK10A60E,S4X Image
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TK10A60E,S4X

工場モデル TK10A60E,S4X
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V TO220SIS
パッケージ TO-220SIS
株式 140894 pcs
データシート TK10A60E
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 50 100 500 1000
$0.682 $0.547 $0.478 $0.371 $0.293
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。140894のToshiba Semiconductor and Storage TK10A60E,S4Xの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 1mA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220SIS
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 750 mOhm @ 5A, 10V
電力消費(最大) 45W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
他の名前 TK10A60E,S4X(S
TK10A60E,S5X
TK10A60E,S5X(M
TK10A60ES4X
TK10A60ES4X(S
TK10A60ES4X(S-ND
TK10A60ES5X
TK10A60ES5X-ND
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1300pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 40nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta)

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TK10A60E,S4X データテーブルPDF

データシート