TJ90S04M3L,LQ
工場モデル | TJ90S04M3L,LQ |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA |
パッケージ | DPAK+ |
株式 | 98918 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.843 | $0.755 | $0.607 | $0.499 | $0.413 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 1mA |
Vgs(最大) | +10V, -20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK+ |
シリーズ | U-MOSVI |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3mOhm @ 45A, 10V |
電力消費(最大) | 180W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7700 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 172 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 90A (Ta) |
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